中国与美荷两国的光刻机技术争议及影响

2026年10月，中国的光刻机技术再次成为国际舆论的焦点。美国的研究机构提议加强对华出口浸没式光刻机的限制，荷兰则对美国扩大其管辖权的做法表示反对。虽然两国对中国半导体技术的发展表达了安全顾虑，但公开信息并未显示二者联手对中国国产光刻机进行批评。值得关注的是，美荷在对中国芯片制造能力的政策调整背后，反映了国际半导体产业竞争规则的变动。这场技术竞争并不是突如其来的。早在2019年前后，美国就已逐渐加强对中国半导体产业的限制，而荷兰的阿斯麦公司则因其极紫外光刻机而广受关注。EUV光刻机使用的13.5纳米波长光源制造难度极高，需要精密的光学设计、真空环境、运动控制，以及复杂的软件配合，因此中国企业长期无法正常购买这些设备，使得其必须寻求其他技术途径来发展先进制程。正因如此，中国加大了自主光刻机研发的投资。

2022年10月，美国商务部发布新的半导体出口管制规定，限制某些尖端计算芯片和制造设备輸出至中国。2023年3月，荷兰宣布加强其先进半导体设备的出口管控，并于同年9月正式实施相关许可制度。到了2024年9月7日，荷兰又扩大了浸没式深紫外光刻设备的许可范围，将阿斯麦部分NXT系列设备纳入审批范围。美国主导限制措施，而荷兰则控制关键设备，两国措施逐渐形成合力。然而，荷兰的立场并不完全与美国一致。2025年1月15日，荷兰政府决定继续扩展半导体设备的出口许可，新增测量与检测技术，调整方案于4月1日实施。荷兰官方强调出口许可管理并非全面禁止出口，具体申请需逐项审查，这对双方的合作显然有所影响。美国希望尽可能削弱中国在先进芯片制造领域的能力，荷兰则必须考虑自身法律、企业营运及国际供应链的稳定，尽管二者存在合作，但各自的利益也并不完全一致。

从中国角度来看，外部限制带来的直接问题是采购先进设备的不确定性。光刻机并非普通工业设备，设备购置不过是开始，后续还需进行安装调试、软件更新、精密零件更换和长期维护。如果限制措施不仅影响新设备，还波及到已交付设备的售后服务，那么就会给企业的生产线操作带来风险。在先进芯片制造企业中，一台关键设备的停机可能会打乱整个生产流程，因此中国在推进国产化设备时，首先考虑的是产业安全。中国在光刻设备领域并非毫无基础。上海微电子长期专注于光刻设备的研发，其产品SSX600系列步进扫描投影光刻机具备四倍缩小投影物镜、精密运动平台与自动调焦平衡技术，适用于90纳米、110纳米以及280纳米等制造工艺。尽管这些技术规格无法直接比肩国际最高端的EUV设备，但已显示出中国在部分芯片生产环节具备一定的研发能力。光刻机国产化是一个渐进的过程，不能单凭最高端设备的突破来评估整个产业的状况。

2025年12月25日，中国政府采购网公示了一项步进扫描式光刻机的采购结果，上海微电子以约1.1亿元中标，提供一台SSC800/10设备。这一记录清楚列出了设备型号、供应商和成交金额，具备更高的参考价值。然而，采购公告并未详细披露设备的曝光波长、套刻精度、量产良率和生产效率，也没有证明其具备国际先进制程的大规模生产能力。所有技术评价都必须基于公开的参数，不能将设备采购直接视作全面突破。进入2026年后，国产光刻机的讨论趋势明显变化。从3月至5月，网络上流传着上海微电子的28纳米浸没式光刻机已实现批量交付、良率达到90%至95%的消息。5月20日，《21世纪经济报道》对此进行了核实，指出相关良率和交付情况缺乏可靠的支持，部分说法与实际政策相去甚远。这一事件提醒行业，国产设备确实值得重视，但设备样机、工艺验证、客户验收和批量生产应属于不同阶段，切不可混淆。

2026年7月28日，国际媒体援引匿名知情人士称，中国企业开始国产浸没式DUV光刻设备的生产，团队整合技术和产业资源。而和之前讨论技术样机不同，此次消息开始聚焦于设备生产组织与产业化计划。但企业尚未清楚披露具体的生产规模、交付数量和客户验收数据，外界仍不好独自确认其商业进展。即便国产浸没式设备有所进展，也需通过实际的晶圆生产来验证其与国际成熟设备的差距。2026年7月31日，中国政府采购网再公示中国科学院上海微系统与信息技术研究所的一项晶圆光刻机采购，上海图双精密装备有限公司胜出，设备型号为Lieth 5500iza/365nm。此处需注意，365纳米是指曝光光源波长，而非芯片制造节点，亦无法将该设备称为365纳米的先进制程设备。这项采购表明国内科研及专用制造领域存在实际的设备需求，暗示中国光刻设备市场并不单一，只围绕先进的逻辑芯片制造发展。

中国光刻设备的发展实际上可以分为多个层次。第一层次是满足科研、封装、功率器件等领域的设备需求；第二层次则是提升成熟制程的生产能力。